TRC(东丽分析)半导体测试案例集

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今天,我们很荣幸的邀(bang)请(jia)到了科技界的泰斗——钢铁侠本侠——为我们代言。那么,闲话少叙,切入正题。我们来展现以下本次SEMICON CHINA 2019上预定展示的11项半导体测试案例。

01

利用NanoSIMS进行的半导体元件不纯物分析

NanoSIMS是SIMS(二次离子质量分析)中空间分辨率极高,可以同时兼顾高敏感度和高空间分辨率的装置。

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02

nm区域的晶体取向图/粒度分析

常规地,通过SEM-EBSD方法获得晶体取向图。即使通过使用SEM透射EBSD方法,其空间分辨率也为约20nm。 通过使用STEM  – Precession电子衍射成像(ASTAR),可以达到等效于EBSD的空间分辨率为nm级的解析能力。

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03

三维存储器的层析成像分析

 

最新的存储器件具有精细的三维结构,并且难以通过SEM或TEM的普通二维观察来评估。 层析成像方法是在纳米级把握设备的三维结构的有效方法,并且可以应用于故障分析。

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04

利用LEIS对超薄膜形成早期覆盖率的评价

 

LEIS是唯一可以仅在表面第一层获得元素信息的表面分析方法。从前不能评估的ALD成膜初期的表面覆盖率,现在已经成为可能。

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05

半导体元件的故障解析

在半导体部品·元件方面,分析·解析技术被作为故障·不良解析的一环被广泛利用。随着对基本元件的可靠性要求的提高,所谓“隐形缺陷”的解析变得尤其重要。其中,利用分光分析的物理·化学解析又在“隐形缺陷”解析中显得尤为有效。

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06

不同材料的粘接  

~界面的分析评价~

在涉及树脂材料 (树脂/塑料和塑料/金属)的粘接中, 树脂的特性对粘接强度影响很大。如果树脂中含有活性官能团, 粘接界面的结构观察,也是分析各种综合作用的因素的有效手段。如果结晶性树脂的场合,界面的结晶性评价也成为表征粘接强度的相关指标。

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07

热膨胀分析

 

对于诸如聚合物,金属,陶瓷等各种材料,可以通过选择从薄膜到块体和构造物,材料和形状与之相匹配的测量方法来测量精确的热膨胀系数。测量温度范围也很宽,可以在适合该目的的条件下进行评估。

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08

实装材料的热特性评价

 

在电子设备中,热量经常会引起故障。材料的导热性是与散热直接相关的重要因素,即使是相同的材料,也会根据形状和制造方法的不同而不同,实际值可能会因所放置的情况而变化,因此有必要尽可能对以接近使用状态的形式进行评估。

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09

测量安装板上微小部件的热和机械特性

在高度集成的电子设备的安装基板上,所需评估的面积变得越来越小。通过使用具有微小探针的物理性质评估方法,可以以微米级到纳米级的分辨率进行测量。在安装基板上进行热负荷试验,并且从基板的横截面测量前后物理性质的变化。

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10

热·应力仿真&实装试验·评价

 

传统物理解析,与新菜单的热·应力仿真并用,推出全新服务。

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11

更准确地获取物理值的重要性

~ 用于高精度模拟分析~

提高可靠性设计的仿真分析的准确性至关重要。以翘曲分析为例,介绍获取物理属性值的重要性。

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最后,官宣一下我们本周(3月20日~22日)的位置,期待与您的现场交流。

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