东丽分析技术开发有限公司（TRCS）携手位于日本的母公司Toray Research Center（TRC），带来OLED材料最新解析技术的专题讲座，届时，我们将现场连线驻日本二位相关领域的专家，现场为您答疑解惑，与您共同探讨业界前沿。本次为2020年年底前的最后一场直播，在此感谢各位一直以来的支持与鼓励，衷心期待您的参与
01PART参加方式
■时间：2020年12月10日（周四） 14点开讲 （含答疑环节，总时长预计为1到2小时）
■地点：微信直播（微信小程序）
■费用：免费参加，扫码预约（当日亦可直接参加，直播结束后扫码随时观看回放）
■讲座简介：Toray Research Center（TRC）在OLED材料的分析方面有至今已逾30年的丰富经验。我公司始终致力于开发最新的分析技术，以适应OLED材料不断发展的需求。在本次讲座中，我们将主要讨论显示器设备的逆向工程和TFT部位的最新观察技术，同时向您介绍运用多种先进分析手段的评价实例。
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02PART特邀嘉宾□ 姓名宮本 隆志（Miyamoto Takashi）Toray ResearchCenter表面科学研究部主任研究员□ 教育·工作和研究经验[教育经历]1996年3月 毕业于德山工业大学信息与电子工程系2004年3月 毕业于京都工业大学大学院理学研究科修士课程[工作经历]1996年4月 东丽株式会社Toray Research Center2015年4月至今 Toray Research Center表面科学研究部高级研究员[研究经历]1996年起 从事使用二次离子质量分析（SIMS）的半导体和工业材料分析2003年起 从事有机电子设备评估技术的开发，并建立了诸如有机SIM背面SIMS的基本技术以及使用同位素标记物对密封性能的评估。2013年起 从事SIMS-OES / CL /Raman的研发□ 专业领域二次离子质量分析（SIMS）及材料解析□ 主要论文1. Study of differences between MCs+ and MCs2+ SIMSdepth profiles18th International Conference on Secondary Ion MassSpectrometry (SIMS18),Surface and Interface Analysis vol.45, Issue 1,p.101-102 (2011), T.Miyamoto, S.Numao, T.Hasegawa, A.Karen2. Study of impurity diffusion through an OLEDdevice interface by backsdie SIMSHyomen Kagaku, Vol.28, Issue 5, p.249-252 (2007)T.Miyamoto, N.Fujiyama3. Quantification of oxygen at the interfacebetween poly silicon film and silicon substrateProceedings of the 12th International Conference onSecondary Ion Mass Spectrometry (SIMS12),Elsevier Science Limited, p.377-380 (1999)T.Miyamoto, E.Hayashi, N.Morita, N.Nagai,T.Hasegawa, M.Hatada, A.Karen, A.Ishitani□ 姓名川崎 直彦（Kawasaki Naohiko）Toray ResearchCenter 形态科学研究部形态科学第一研究室室长□ 教育·工作和研究经验[教育经历]2001年3月 东京大学工学部物理工学系毕业2003年3月 东京大学新领域研究生院材料科学硕士课程毕业2020年3月 获得京都大学博士学位（理学博士学位）[工作经历]2003年4月至今 东丽株式会社Toray Research Center[研究经历]2004年 京都大学化学研究所的合同研究员 使用电子显微镜进行电子结构分析的研究（至2006年3月）2014年 南巴黎大学固体物理研究所 访问电子研究员 从事电子显微镜的介电性能研究（至2015年3月） □ 专业领域电子显微镜及形态科学相关解析技术 □ 主要论文1.Extinction andScattering Properties of High-Order Surface Plasmon Modes in SilverNanoparticles Probed by Combined Spatially Resolved Electron Energy LossSpectroscopy and CathodoluminescenceACS Photonics vol.3, 1654－1661 (2016).Naohiko Kawasaki, Sophie Meuret, RaphaëlWeil, Hugo Lourenço-Martins, Odile Stéphan, Mathieu Kociak2.Analytical electronmicroscopy investigation of elemental composition and bonding structure at theSb-doped Ni-fully-silicide/SiO2 interfaceJournal of Applied Physics vol.109,063716-1－063716-6 (2011).Naohiko Kawasaki, Naoyuki Sugiyama, YujiOtsuka, Hideki Hashimoto, Hiroki Kurata, Seiji Isoda3.Energy-loss near-edgestructure (ELNES) and first-principles calculation of electronic Structure ofnickel silicide systemsUltramicroscopy vol.108, 399－406 (2008).Naohiko Kawasaki, Naoyuki Sugiyama, YujiOtsuka, Hideki Hashimoto, Masahiko Tsujimoto, Hiroki Kurata, Seiji Isoda
