TRC（东丽分析）半导体测试案例集

今天，我们很荣幸的邀（bang）请（jia）到了科技界的泰斗——钢铁侠本侠——为我们代言。那么，闲话少叙，切入正题。我们来展现以下本次SEMICON CHINA 2019上预定展示的11项半导体测试案例。

01

—

NanoSIMS是SIMS（二次离子质量分析）中空间分辨率极高，可以同时兼顾高敏感度和高空间分辨率的装置。

nm区域的晶体取向图/粒度分析

常规地，通过SEM-EBSD方法获得晶体取向图。即使通过使用SEM透射EBSD方法，其空间分辨率也为约20nm。 通过使用STEM  – Precession电子衍射成像（ASTAR），可以达到等效于EBSD的空间分辨率为nm级的解析能力。

三维存储器的层析成像分析

最新的存储器件具有精细的三维结构，并且难以通过SEM或TEM的普通二维观察来评估。 层析成像方法是在纳米级把握设备的三维结构的有效方法，并且可以应用于故障分析。

利用LEIS对超薄膜形成早期覆盖率的评价

LEIS是唯一可以仅在表面第一层获得元素信息的表面分析方法。从前不能评估的ALD成膜初期的表面覆盖率，现在已经成为可能。

半导体元件的故障解析

在半导体部品·元件方面，分析·解析技术被作为故障·不良解析的一环被广泛利用。随着对基本元件的可靠性要求的提高，所谓“隐形缺陷”的解析变得尤其重要。其中，利用分光分析的物理·化学解析又在“隐形缺陷”解析中显得尤为有效。

不同材料的粘接  

～界面的分析评价～

在涉及树脂材料 (树脂/塑料和塑料/金属)的粘接中, 树脂的特性对粘接强度影响很大。如果树脂中含有活性官能团, 粘接界面的结构观察，也是分析各种综合作用的因素的有效手段。如果结晶性树脂的场合，界面的结晶性评价也成为表征粘接强度的相关指标。

07

—

08

—

09

—

10

—

11

—